Giá bán : thỏa thuận, vui lòng liên hệ: 0976 275 983/ 0941 88 99 83, email: midtechvn@gmail.com - Mr. Hoàng Anh Quý!
Chi tiết:
| C. | TRANG THIẾT BỊ | |||||
| 1 | Hệ mặt bàn đỡ thiết bị phục vụ cho các bài thí nghiệm hạt nhân | Mỹ | Bộ | |||
| 1.1 | Mặt bàn tán xạ lắp ráp các bài thí nghiệm | Labkit-Table/Mirion Technologies (Canberra) | Mặt bàn tán xạ có vạch chia góc dùng lắp các linh kiện phù hợp thực hiện 05 bài thí nghiệm Vật lý hạt nhân, có các vị trí gắn giá đỡ detector NaI, vỏ chắn phóng xạ, nguồn phóng xạ, ống chuẩn trực có vỏ che chắn phóng xạ và cột tán xạ; + Kích thước mặt: Dài 600 mm × Rộng 400 mm; + Chiều dày: 10 mm; + Chất liệu: Hợp kim nhôm; + Độ nhám bề mặt Rz25; + Vạch chia góc: góc 180 độ, mỗi bước 10 độ; + Bảo hành: 12 tháng | |||
| 1.2 | Ống chuẩn trực cho đầu dò NaI | Ống chuẩn trực che chắn cho đầu dò NaI loại 2"×2" có giá đỡ thích hợp lắp ráp với bàn tán xạ; + Đường kính vỏ trong: 62 mm.; + Đường kính vỏ ngoài: > 110 mm.; + Chiều dài trụ: 150 mm; + Vật liệu vỏ: nhôm hoặc thép phủ sơn tĩnh điện; + Cửa mở chuẩn trực: 30mm.; + Vật liệu che chắn phóng xạ: Chì; + Bề dày che chắn tương đương chì: ≥ 2.4cm; + Bảo hành: 12 tháng | ||||
| 1.3 | Vỏ che nguồn phóng xạ | Che chắn tia phóng xạ từ nguồn dùng trong các bài thí nghiệm có giá đỡ thích hợp lắp giáp với bàn tán xạ. ; + Hình dạng: hình trụ ngang có chân đế; + Đường kính vỏ trong: 30 mm ± 1mm.; + Đường kính vỏ ngoài: ≥110mm.; + Chiều dài trụ: 15mm; + Tâm trụ trùng với tâm trụ của ống chuẩn trực; + Có sẵn có cơ cấu gá giữ nguồn phóng xạ; + Vật liệu vỏ: nhôm hoặc thép phủ sơn tĩnh điện; + Che chắn an toàn cho các nguồn phóng xạ dùng cho các bài thí nghiệm Vật lý hạt nhân; + Vật liệu che chắn: chì; + Suất liều cách bề mặt 50 cm: < 1μSv/h tính cho nguồn Cs-137 hoạt độ < 0.5mCi; + Bảo hành: 12 tháng | ||||
| 1.4 | Cột tán xạ | Cột tán xạ kim loại dạng trụ có kết cấu thích hợp gắn trực tiếp lên bàn tán xạ; + Đường kính: 25mm.; + Chiều cao: 180 mm; + Chất liệu: Nhôm; + Bảo hành: 12 tháng | ||||
| 1.5 | Giá đỡ các tấm hấp thụ | Giá đỡ kim loại được thiết kế phù hợp với bàn tán xạ dùng để lắp các tấm hấp thụ.; + Thích hợp các tấm hấp thụ kích thước 75mm × 75mm; + Kích thước khe: 20mm; + Chất liệu: Nhôm; + Bảo hành: 12 tháng | ||||
| 2 | Bộ các tấm hấp thụ | Labkit-ABS/Mirion Technologies (Canberra) | Bộ các tấm hấp thụ bằng nhiều loại vật liệu có hệ số hấp thụ tia Gamma khác nhau.; + 05 tấm Polyethylene; - Kích thước mặt: Dài 75 mm × Rộng 75 mm; - Chiều dày 12.7 mm; + 05 tấm Đồng; - Kích thước mặt: Dài 75 mm × Rộng 75 mm; - Chiều dày 3.18 mm; + 05 tấm Nhôm; - Kích thước mặt: Dài 75 mm × Rộng 75 mm; - Chiều dày 6.35 mm; + 05 tấm Chì; - Kích thước mặt: Dài 75 mm × Rộng 75 mm; - Chiều dày 3.18 mm; + Bảo hành: 12 tháng | Mỹ | Bộ | |
| 3 | Các khối điện tử đa chức năng | Khối | ||||
| 3.1 | Khối đếm đa chức năng | 817/Ortec | Tần số đếm đến: 25 MHz; - Hiển thị: 8 đèn led 7 đoạn kèm theo dấu chấm thập phân; - Thời gian đặt trước: 2 số; - Xung vào: chuẩn kết nối BNC; · Xung dương: đơn cực hoặc lưỡng cực với biên độ lên tới 10 V, đặt ngưỡng 1.5 V, độ rộng xung vào tối thiểu 20 ns, trở kháng lối vào 1 kΩ.; · Xung âm: Đơn cực hoặc lưỡng cực dòng lên tới 16mA trở kháng 50Ω; đặt ngưỡng -250 mV, độ rộng xung tối thiểu: 4ns; có bảo vệ xung đầu vào lên tới ± 25 V tại 10% duty cycle.; - Khả năng đếm từ 0 đến 99,999,999; - Cổng điều khiển (GATE): cho phép xung logic mức thấp chuẩn NIM hoặc mức 1 chiều dùng để điều khiển cho cả hai chế độ đếm với các mức logic như sau: ≥ +3V hoặc hở mạch cho phép đếm; ≤+1.5V cấm đếm với dòng tải nguồn điều khiển tối đa 0.5mA.; - Bộ định thời cung cấp mức logic chuẩn NIM với thang thời gian báo tràn có thể lựa chọn từ 99,999,999 tới 0s; - Nguồn yêu cầu:; +24 VDC – 161 mA; +12 VDC – 280 mA;; +12 VDC – 117 mA;; +110 V – 40mA; - Kích thước: chuẩn 2 khối giỏ NIM; 6.90 × 22.13 cm; - Bảo hành: 12 tháng | Mỹ | Khối | |
| 3.2 | Khối khuếch đại tinh chỉnh tự động | 2026/Mirion | Lắp ghép tương thích với hệ NIM; - Xác định hình dạng Gaussian/Triangular; - Tự động khôi phục lại đường nền và ngưỡng đo; - Đầu vào vi sai; - Có thể khôi phục sau khi quá tải; - Hệ số khuếch đại thô: có thể thay đổi bằng con xoay 8 vị trí thay đổi các giá trị khuếch đại X5, X10, X20, X50, X100, X200, X500 và X1000; - Hệ số khuếch đại tính: thay đổi bằng biến trở chính xác từ X0.5 đến X1.5; - Bộ khử cực không P/Z: điều chỉnh bằng biến trở chính xác; - Hằng số tạo dạng: có thể thay đổi 0.5, 1, 2, 4, 6, và 12μs; - Hằng số nhiệt độ với xung đơn cực: 0.005 %/°C, dc level ≤ ±7.5 μV/°C; Với xung lưỡng cực: Gain ≤ ±0.007%/°C, dc level ≤±30 μV/°C.; - Độ phi tuyến tích phân: ≤±0.04% trên toàn thang đối với hằng số tạo dạng 2μs; - Độ chéo xung: ≤±3ns cho dải động 50:1 và hằng số thời gian 2μs khi sử dụng với SCA model 2037A.; - Phục hồi quá tải: phục hồi tín hiệu lối ra trong khoảng ±2% (1%) biên độ cực đại xung với hệ số khuếch đại X1000 trong 2.5 (2.0) độ rộng xung không quá tải với hệ số khuếch đại cực đại tại bất kỳ hằng số thời gian và với bộ khử cực không (P/Z) phù hợp.; - Độ rộng phổ: FWHM của 60Co tại đỉnh gamma 1.33 MeV cho tốc độ đếm 2 kcps- 100 kcps và độ cao xung 9 V thông thường thay đổi < 6 % cho 2 μs Gaussian shaping"; - Đóng góp ồn: ≤4.5 μs (7.0 μs) RMS thực với xung đầu vào đơn cực (lưỡng cực), hằng số tạo dạng 2μs và hế số khuếch đại ≥100; - Mạch phục hồi: Phục hồi tốc độ và ngưỡng tự động bằng mạch tích hợp tỏng khối khuếch đại; - Ổn định tốc độ đếm: vị trí đỉnh gamma của 60Co tại 1.33 MeV cho tốc độ đếm 2 kcps- 100 kcps và độ cao xung 9 V thông thường thay đổi < 0.02 % cho 2 μs Gaussian shaping.; - Xung vào: kết nối qua cổng BNC cho phép nhận cả xung dương hoặc xung âm bên độ cực đại ±10V; hằng số thời gian sườn sau của xung: từ 40μs đến rất lớn.; - Lối cấm xung: Cho phép xung chuẩn TTL điều khiển từ ADC sử dụng để mở rộng thời gian chết; - Xung ra: chuẩn BNC xung ra đã được tạo dạng tuyến tính biên độ cực đại ±10V; mức 1 chiều được hiệu chỉnh ±5mV, trở kháng lối ra: 93Ω có chức năng bảo vệ ngắn mạch; - Có chức năng chống quá tải tần số; - Độ phân giải cặp xung: ≤500ns; - Nguồn nuôi: +24VDC – 110mA; -24VDC – 130mA; +12VDC – 220mA; -12VDC – 160mA; - Kích thước: chuẩn MIN đơn: 3.43x22.12cm; - Bảo hành: 12 tháng | Mỹ | Khối | |
| 3.3 | Khối tiền khuếch đại cho ống đếm tỷ lệ | 2006/Mirion | Tiền khuếch đại sử dụng FET lối vào, có diode bảo vệ; - Chịu cao áp lên tới 2000V; - Cách điện thiên áp đầu dò: lên tới 5000V; - Ồn điện tử thấp: <350 cặp ion tại Cs = 0pF; - Tốc độ thay đổi điện tích lớp cho phù hợp với ứng dụng đếm: lên tới 2x10-7 C/s; - Sườn tăng xung: <20ns cới CS = 0pF; - Hằng số thời gian xung ra: 50μs; - Lối vào: cho phép xung điện tích từ ống đếm tử lệ và cung cấp cao áp cho đầu dò; đầu nối BNC; - Lối vào test: tín hiệu xung điện tích 3.3pC/V; Zin = 93Ω; đầu nối BNC; - Lối vào cao áp: cho phép cao áp cực đại lên tới 2000V, điện trở định áp 110MΩ; đầu nối SHV; - Kết nối đầu dò: đầu nối SHV; - Xung ra: đảo cực tính, hằng số mặt tăng xung <35ns, hằng số sườn sau xung: 50μs; biên độ xung cực đại ±10V; - Trở kháng lối ra: 93Ω; - Độ phi tuyến tích phân: <±0.02%; - Độ trôi hệ số khuếch đại: <±0.01%/oC; - Độ nhạy: 47mV hoặc 235mV trên triệu cặp ion; - Nguồn nuôi +24VDC-36mA, -24VDC-16mA, +12VDC-2mA, -12VDC–2mA; - Nhiệt độ làm việc: 0 đến 50oC; - Nhiệt độ lưu giữ: 0 đến 50oC điều kiện không ngưng; - Đáp ứng điều kiện môi trường EN61010, cài đặt theo thư mục I, Ô nhiễm bậc 2.; - Bảo hành 12 tháng | Mỹ | Khối | |
| 3.4 | Giỏ NIM cung cấp nguồn 1 chiều | 2100/Mirion | - Khối nguồn cung cấp chuẩn NIM theo tiêu chuẩn IEC 801; - Công suất: 150W; - Nguồn nuôi: 193-260 V; - Nguồn đầu ra: ± 6 V dòng cấp 10 A, ±12 V dòng cấp 4 A, ± 24 V dòng cấp 2 A; 117 VAC 0.5 A; - Số lượng module NIM: 12; - Có chế độ bảo vệ quá nhiệt và tự động phục hồi; - Thời gian ổn định: sau 60 phút làm ấm tại nhiệt độ môi trường; - Khả năng điều áp: việc thay đổi tải từ 0 đến 100% với nguồn điện áp nuôi xác định làm điện áp lối ra thay đổi không quá 0.05%.; - Độ ổn định nhiệt độ: hệ số nhiệt độ < 0.01% trong dải nhiệt độ từ 0 đến 60 oC và điện áp danh định lối ra thay đổi không quá 0.1% cho toàn bộ dải nhiệt độ.; - Thời gian đáp ứng: 100 μs để phục hồi tới giá trị 0.1% giá trị điện áp ổn định với thay đổi của nguồn vào hoặc trong phạm vi từ 10 đến 100% của tải.; - Ồn nhiễu: < 3mV đỉnh – đỉnh (bằng thông 50Hz); - Có chế độ bảo vệ quá tải; - Bảo vệ quá áp: mạch bảo vệ điện tử ngăn cho điện áp ±6V không vượt quá ±7.5V bằng việc nối tặt nguồn thông qua SCR.; - Chống nhiễu điện từ trường: Bộ lọc EMI đầu vào IEC 801, chống quá tải thư mục II, ô nhiễm cấp 2; - Nhiệt độ làm việc: 0 đến 50 oC; - Độ ẩm cực đại: 80 %; - Kích thước: 21.9 × 48.3 × 51.1 cm; - Bảo hành: 12 tháng | Mỹ | Khối | |
| 4 | Đầu dò bức xạ tỷ lệ ghi nhận tia X và beta | 4511/LND Inc | - Dải điện áp hoạt động: 1950-2200V; - Điện áp khuyến cáo hoạt động: 2050V; - Có khả năng ghi nhận tia X và tia Beta; - Cửa sổ bên bằng Beryllium; - Kích thước cửa sổ: 25.4mm (đường kính); - Bề dày cửa sổ: 0.05mm; - Mật độ: 9.2mg/cm2; - Kích thước: 183.4mm (chiều dài) × 50.8 mm (đường kính); - Kích thước vùng hoạt: 114.3 × 47.8 mm; - Dải nhiệt độ làm việc: -40 đến +75oC; - Loại khí: Kryton; - Áp suất khí trong đầu dò: 760 Torr; - Điện dung đầu dò: 3pF; - Độ phân giải:10 (FWHM CD109); - Đầu kết nối MHV; - Bảo hành: 12 tháng | Mỹ | Chiếc | |
| 5 | Các bộ đầu dò | Bộ | ||||
| 5.1 | Bộ đầu dò gamma sử dụng photodiode | Châu Á | Bộ | |||
| 5.1.1 | Photodiode | S3584-08/Hamamatsu | - Cửa sổ phủ nhựa Epoxi; - Kích thước vùng hoạt: 28x28 mm; - Bề dày lớp nghèo: 0.3mm; - Điện áp max: 100V; - Dark current: ≤30nA; - Công suất tiêu tán: 100mW; - Dòng ngắn mạch: 780μA; - Bước sóng: từ 340 đến 1100nm; - Bước sóng độ nhạy cực đại 960nm; - Độ nhạy với bước sóng cực đại: 0.66 A/W; - Độ nhạy với LSO: 0.20 A/W; - Độ nhạy với BGO: 0.30 A/W; - Độ nhạy với CsI(Tl): 0.36 A/W; - Phù hợp với tính thể BGO và CsI(Tl); - Hiệu suất lượng tử lên tới 85%; - Đáp ứng nhanh; - Độ phân giải năng lượng tốt; - Điện dung đầu dò thấp: 300pF; - Tần số cắt: 10MHz; - Hệ số nhiệt độ TCID: 1.12 time/oC; - NER (VR = 70V): 8.6×10-14 W/(Hz)1/2; - Nhiệt độ làm việc: -20 đến 60 oC; - Nhiệt độ bảo quản: -20 đến 80 oC; - Bảo hành: 12 tháng | Nhật | Chiếc | |
| 5.1.2 | Photodiode | S8913/Hamamatsu | - Photodiode kèm nhấp nháy số lượng 1 cái; - Chất nhấp nháy: Ceramic scintillator; - Độ nhạy cao; - Ghi nhận tia X; - Diện tích vùng nhạy lớn; - Độ nhạy tia X: lớn hơn CWO 1.8 lần; cho dòng 30nA với ống phóng tia X 120keV, có dòng 1.0mA, sử dụng lớp lọc nhôm dày 6mm tại khoảng cách 830mm.; - Độ trễ sáng: <0.1%/3ms, 0.01%/30ms so với CsI; - Bước sóng làm việc 190 đến 1000 nm; - Bước sóng độ nhạy cực đại: 720 nm; - Độ nhạy cực đại: 0.5 A/W; - Điện áp ngược: 5V; - Dòng tối: ≤50 pA; - Điện áp đầu dò: 950 pF; - Có sẵn tinh thể nhấp nháy; - Thích hợp ghi đo với tia X có năng lượng 120 KeV trở xuống.; - Nhiệt độ làm việc: -10 đến 60oC; - Nhiệt độ bảo quản: -10 đến 70oC; - Bảo hành: 12 tháng | Nhật | Chiếc | |
| 5.1.3 | Tinh thể nhấp nháy | NaI(Tl) | - Tinh thể nhấp nháy: CsI(Tl) hoặc NaI(Tl) ; - Hình trụ, kích thước: 2.8 × 2.8 (dài x rộng) chiều cao ≥2.8cm; - Vỏ nhôm; - Khả năng ghi nhận tia X > 60 keV; - Bảo hành: 12 tháng | Châu Á | Chiếc | |
| 5.1.4 | Tiền khuếch đại nhạy điện tích | H4038/Hamamatsu | - Khuếch đại nhạy điện tích; - Cực tính tín hiệu vào/ra: đảo cực tính; - Hệ số khuếch đại: 0.5V/pC hay 22 mV/MeV; - Độ ồn: 550 e/FWHM; - Hệ số hồi tiếp âm: 50 MΩ/2pF; - Nguồn nuôi: ± 12 V; - Công suất tiêu tán: 150 mW; - Số thứ tự chân: 1 – In; 2 – Gain; 3 – GND; 4 – Cal; 5 – GND; 6 - -12V; 7 - +12V; 8 – GND; 9 - Out; - Kích thước: 24 × 19 mm; - Bảo hành: 12 tháng | Nhật | Chiếc | |
| 5.2 | Bộ đầu dò GM | 7187/LND Inc | Đầu dò cửa sổ; - Chiều dài: 140.5mm; - Đường kính: 53.6mm; - Khí chứa trong đầu dò: Ne+Halogen; - Chiều dài vùng hoạt: 12.7mm; - Vật liệu cathode: thép không gỉ; Đầu nối cao áp: SHV; - Vật liệu của sổ: Mica; - Đường kính cửa sổ: 44.45 mm; - Mật độ khối cửa sổ: 2.0 mg/cm2; - Điện áp hoạt động: 850-1000 V; - Điện áp làm việc khuyến cáo: 900 V; - Điện trở anode khuyến cáo: 3.3 MOhm; - Độ dốc Plato: 10%/100V; - Thời gian chết cực đại: 20 micro giây; - Độ nhạy với nguồn Co-60: 60 cps/mR/giờ); - Điện dung đầu dò: 10pF; - Tốc độ đếm phông cực đại: 30cpm (với che chắn 50mm chì + 3mm nhôm); - Bảo hành: 12 tháng | Mỹ | Chiếc | |